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超快恢复二极管UF1004

快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。

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主要经销的品牌有：

  IC品牌：ADI，NS/TI，MAXIM/DALLAS，FSC/IR/VISHAY、MICROCHIP，NXP/ON，INFINEON DIODES， FREESCALE ,ATMEL, AVAGO, XILINX、ALTERA等

   二三极管：IR/VISHAY  ST  NXP   ROHM   CJ 等

   电感： MURATA   TAIYO  TOKO  TDK  coilcraft等

   电容： YAGEO   FH  AVX  KEMET  NEC  VISHAY等

   电阻： YAGEO  ROYALOHM  KOA等

   还兼营各种无源器件、连接器、继电器、传感器等诸多偏冷门、停产、军工类集成电路。

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二三极管：

经营范围：全系列二极管有：TVS瞬变抑制二极管，稳压二极管，快速二极管，超快速二极管，整流二极管，肖特基二极管，快恢复二极管，开关二极管，整流二极管，全系列桥堆等。

三极管：快恢复，肖特基，MOS场效应，三端稳压，达林顿，晶体三极管等。

主要封装有：SMA，SMB，SMC，DO-35，DO-41，DO-15，DO-27，DO-201，SOD-123（1206），SOD-323（0805），SOD-523，SOT23-5，P-600（R-6），DIP-4，WOB，SOP-4，TO-92，TO-126，TO-220，TO-3P，TO-247，TO-263，TO-252，TO-251，SOT-23，SOT-323，SOT-523，SOT-89，SOT-223等.全系列直插/贴片，品种广泛,竭诚欢迎海内外用户前来洽谈合作，共谋发展和建立长期的合作关系！感谢您关注本公司，更欢迎您选购本公司产品.  诚信合作--共赢未来

整流二极管：

整流二极管的导电特性 二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。正向特性 在电子电路中，将整流二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，整流二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，整流二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。 2、反向特性 在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。整流二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当整流二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。

    整流二极管的主要参数 用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为整流二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数： 1、额定正向工作电流 是指二极管长期连续工作时允许通过的正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为140左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以，整流二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。 2、反向工作电压 加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。 3、反向电流 反向电流是指整流二极管在规定的温度和反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25时反向电流若为250uA，温度升高到35，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25时反向电流仅为5uA，温度升高到75时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。

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